本發明涉及（jí）光子晶體和分子印跡技術領域，具體涉（shè）及一維光子晶（jīng）體結構聚合物膜的製備方法。

背景技術：

分子印跡技術是由模板（bǎn）誘導在聚（jù）合物中形（xíng）成特定識（shí）別位點的過程，在傳統的（de）分子印跡檢測法中，由於使用單一的功能單體進行聚合時，會受到溶液離子強度等的影響，出現溶脹率較大，聚（jù）合物破損等，不利於聚合物的製（zhì）備。

技術實現（xiàn）要素：

本發明提供一（yī）維光子晶體結構聚合物膜的製備方法。采用跨度為761nm，高度為75nm，寬度為350nm的一維（wéi）光子晶體模板，通過（guò）將光子晶體和（hé）分子印跡技術相結合，根據不同（tóng）濃度甲基苯丙（bǐng）胺對分子印跡聚合物膜的作用不同，利用光（guāng）學（xué）光譜儀測定反射峰強度的變化，從而實現對甲基苯丙胺的檢測。

檢測原理為：當白色入射（shè）光照射在傳感（gǎn）器表（biǎo）麵時，反射光（guāng）的波長符合光柵方程：mλ＝d(sinθ1+θd)，其中m為衍射級數，λ為衍射光（guāng）波長，θ1為光源入（rù）射角；θd為反射角；d為光柵周期。

當分子印跡膜與樣品分子結（jié）合時，樣品分子進入分子印跡空（kōng）腔，產生結構變化，會引起膜上麵的台階高（gāo）度的（de）改變，從而影響反射光譜（pǔ）的反射率，反射率的變化隨濃度的變化呈（chéng）線性關（guān）係，從而檢測樣品分子濃度。