矽基負極相較於石墨負（fù）極具有（yǒu）較低的電勢平台（tái），更高的（de）容量和更便宜的價格。但是（shì）循環過程中的容（róng）量下降（jiàng）問題一直影響著其商業化應用。為了解（jiě）決這一重要缺陷，近年來學者們提出了非常多的策略（luè）以增強矽基電極在電化學過程（chéng）中穩定性，其中最重要的一個就是構建穩定的SEI膜。但是目前的研究通常（cháng）忽略了（le）電解液和Si之間的反應，而這對SEI膜的（de）穩定（dìng）性關係很大，需要進一步的研究。而在眾多副反應中，氟離子與Si的反（fǎn）應是最為常見的問題。為了阻止副反應（yīng）的發生，一般要求保護（hù）層具有良好（hǎo）的導（dǎo）電性，可以選擇性（xìng）的阻斷（duàn）氟離子但對鋰（lǐ）離子的擴散沒有影響。

本文中，作者針對上述問題，在Si顆（kē）粒表麵（miàn）設（shè）計了TiN塗層（céng），該塗層具有良好的導電性和對氟離子的選擇阻斷性。結合XRD、質譜儀、透射電鏡等表征，發現對比樣品中炭塗層對於氟離子沒有阻礙作用，材料在循環過程中形成了Li2SiF6，導致Si和電（diàn）解質都被不可逆轉的消耗掉，嚴重影（yǐng）響電極的（de）容量。而TiN塗層則可以（yǐ）很好（hǎo）的阻止氟離子穿過塗層，並可以大大提升材（cái）料的（de）導電（diàn）性。實驗（yàn）表明，具有選擇性保護層的樣品的副反應的反（fǎn）應速率降低了約1700多倍，SEI膜（mó）的（de）厚度降低了四（sì）倍。

總結來說（shuō），通（tōng）過（guò）研究Si和LiPF6之間的反（fǎn）應，提出了一種新的有效地阻礙副反應的方法（fǎ）。所製備的TiN塗層有效地阻止了氟離子擴散到Si顆粒內部發（fā）生副反應，並提高了Si的導電性和鋰離子擴散係數（shù）。這一研究結果對於（yú）研發具（jù）有（yǒu）高循環能力的高性能矽（guī）基負極具有極高的價值和指導意義。